本日の作業は、現在デュアルFET置き換え案の別法、その準備です。
チップ型(SOT23)のデュアルFETが、電気的に代替え可能の検証とリード化するための作業です。現在のプリント基板に換装実装するためにはリード化する必要がありますし、リード化したほうが、測定もしやすいということです。
リード、SOT23用基板、SOT23変換基板を用意しました。
このFETはデュアルタイプなのですが、ソースが共通のタイプです。
ただし、SOT23変換基板は残念ながら置き換える元のピン配置とは違うので薄いタイプの変換基板を介してピン配置を変えようという目論見です。
完成の画像です。
今回は、2個作成。
1個目のIDSSを測定。表示値は、100Ωの両端電圧なので読み替えて
CH1:11.52mA
CH2:11.50mA
±0.02mAとは、流石に同一のパッケージ品ですね。
Ids＝2mA時のVGSを測定します。
CH1:-0.593V
CH2:-0.585V
差が8mVです。アンプに使うには、少々辛い数値でしょうか。
2個目の確認です。
同様にIDSSから測定。
CH1:9.46mA
CH2:9.32mA
0.14ｍAも違いますね。
VGSはどうでしょう。
CH1:-0.494V
CH2:-0.488V
差が6ｍVです。
今回サンプル数が2個での確認でしたが、カセットデッキならば使えそうな数値かなと感じです。今後、サンプル数をもう一桁程度増やして検証してみたいと思います。
